PS5050是一款高性能的高侧 OR-ing FET 控制器替代LM5050

PS5050-1 是一款高性能的高侧 OR-ing FET 控制器，适用于冗余电源系统。它通过

外部 N 沟道 MOSFET 实现理想的二极管整流功能，可显著降低传统二极管整流器带来的功率损耗和电压

降。 PS5050-1 提供了快速的电流反转响应能力，能够在 50ns 内关闭 MOSFET ，确保系统的稳定性和可

靠性。

PS5050-1 is a high-performance high side OR ing FET controller，suitable for redundant power systems.

It achieves ideal diode rectification function through external N-channel MOSFET, which can significantly

reduce the power loss and voltage drop caused by traditional diode rectifiers. PS5050-1 provides fast

current reversal response capability, capable of turning off MOSFETs within 50ns, ensuring system stability

and reliability.

二 特性

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提供标准版和 AEC-Q100 认证版本（ PS5050Q0MK-1 最高结温可达 150°C， PS5050Q1MK-1 最高

结温可达 125°C）。Provide standard and AEC-Q100 certified versions ( PS5050Q0MK-1 has a maximum junction

temperature of 150 ° C, PS5050Q1MK-1 has a maximum junction temperature of 125 ° C).

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宽输入电压范围：VIN 为 1V 至 75V（VIN < 5V 时需额外提供 VBIAS）。Wide input voltage range: VIN

is 1V to 75V (VBIAS is required when VIN<5V).

● 100V 瞬态耐受能力。 100V transient withstand capability.

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内置电荷泵驱动外部 N 沟道 MOSFET 。 Built in charge pump drives external N-channel MOSFET

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快速响应：在电流反转时，响应时间仅为 50ns。Fast response: When the current reverses, the response time

is only 50ns.

● 2A 峰值栅极关断电流。2A peak gate turn off current.

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最小 VDS 钳位，实现更快的关断速度。Minimum VDS clamp for faster shutdown speed.

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封装类型：SOT-6 （薄型 SOT-23-6）。Packaging type: SOT-6 (thin SOT-23-6).

三 应用领域

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冗余电源（N+1 ）的主动 OR-ing 。 Active OR ing of redundant power supply (N+1).

四 描述 PS5050-1/-Q1 高侧 OR-ing FET 控制器与外部 MOSFET 配合使用，当串联在电源中时，

可作为理想的二极管整流器。该控制器通过内置的电荷泵为外部 N 沟道 MOSFET 提供栅极驱动，并利用

快速响应比较器在电流反向流动时迅速关闭 MOSFET。 PS5050-1/-Q1 可连接 5V 至 75V 的电源，并能

承受高达 100V 的瞬态电压。