PL2301 SOT23-3 PMOS（-20V,-2.2A）MOS场效应管
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特征
●针对低RDS的超高密细胞沟槽设计（开启）。
●坚固而可靠。
●针对低RDS的超高密细胞沟槽设计（开启）。
●坚固而可靠。
●表面安装软件包。
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