PL60N02D 20VN通道增强模式MOSFET场效应管
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一般说明
PL60N02D采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS（ON）、低栅极电荷和栅极电压低至2.5V的操作。本设备适用于用作电池保护或其他开关应用程序。
一般特征
VDS = 20V ID =60A
RDS(ON) < 5.5mΩ@ VGS=10V
应用
蓄电池保护
负荷开关
不间断电源
深圳市百盛新纪元半导体有限公司
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